- 品牌：Entegris（英特格） / Millipore
- 型号：WG3NS2RR4
- 产品品类：Wafergard III NF Mini XL 系列管路高纯气体过滤器
- 滤膜材质：专利烧结镍（Sintered Nickel）膜
- 外壳与端盖材质：电抛光高纯 316L 不锈钢（低硫VAR 316L）
- 接口尺寸与类型：1/2 英寸 Gasket seal（兼容 VCR 密封接口）外螺纹公头输入/输出（Male Inlet/Outlet）
- 过滤精度（Removal Rating）：≥0.0015 µm 至 0.003 µm
- 微粒阻拦效率：当气流量在 120 SLPM 时，微粒去除率大于 99.9999999%（9 LRV）
- 下流方向初始清洁度：对于 ≥0.01 µm 的颗粒，少于 0.03 个微粒/升
- 内部表面粗糙度：≤5 µin Ra
- 氦气泄漏率（测试值）：1 x 10⁻⁹ atm cc/sec
- 最大入口压力：165 bar (2400 psi) @ 100°C
- 最大正向/反向差压：20 bar (290 psid)
- 最大工作温度（不活性气体）：400°C @ 83 bar
- 最大工作温度（腐蚀性/反应性气体）：50°C @ 165 bar
- 面间总长度（Length）：133.3 mm（约 5.25 英寸）
- 产品外径（Diameter）：28.5 mm
- 整机重量信息：基准泵体/滤芯本体净重约为 280 g 至 350 g 之间（实际总重随出厂密封包装及两端防护盖等有所变化）
Entegris英特格WG3NS2RR4是一款广泛服役于半导体超净车间、光刻工艺气路以及各类先进制程设备中的超高纯全金属高规格管路气体过滤器。该产品属于Wafergard III NF Mini XL工艺硬件系列，其内部核心过滤元件采用了英特格享有专利的高技术烧结镍膜。这种全金属架构不仅让设备能够完美承受动态压力脉动带来的物理冲击，在面对现代晶圆厂、电子级气体输送管道中所使用的大量不活性气体或高侵蚀性反应气体时，也能表现出优良的抵御化学腐蚀特性。为了全面防范气路组装中因焊接过度带来的金属析出与气体逸散，外壳采用先进的焊接减量化装配工艺，配合低硫VAR 316L高纯度不锈钢外壳以及内壁小于等于5微英寸Ra的严苛电抛光处理，做到了在极高和极低蒸气压工况下均能维持极低的自身气体放出量，极大缩短了气路系统的烘干与吹扫响应周期。
从微控污染控制的深度和技术实力来看，英特格WG3NS2RR4实现了令人瞩目的纯净度指标。该过滤器对于肉眼不可见的纳米级超细微粒具有强大的阻截和去除能力，其额定去除孔径可延伸至0.0015微米至0.003微米。在半导体制程气体管路以高达120 SLPM的大标准升每分钟流量进行高密度泵送时，其针对最易穿透粒径的颗粒拦截效率依然能够保持在百分之九十九点九九九九九九九以上（即高达9 LRV的对数减少值），这能显著降低因为外界气源微粒超标造成的晶圆污染，对提高先进制程芯片和精密半导体元器件的成品率起到了关键的保障作用。同时，该产品在出厂前均经过严密的纯化与清洗工序，出厂初始清洁度指标可稳定达到每升气体中大于0.01微米的杂质微粒小于0.03个，能够与气体面板、气体控制柜（Gas Box/Gas Panel）、阀门多路组装箱（VMB）等复杂的超高纯度流体分流与输送设备无缝契合。
在硬件接口及物理兼容性设计上，WG3NS2RR4展现出了高度的集成便利性。它提供了长133.3毫米、直径28.5毫米的极度紧凑型一体化金属管身设计，不仅能够最大程度降低工艺管道的占用体积，还赋予了工程设计极佳的空间容错率。两端接口部分配备的是标准半导体流体硬件常用的1/2英寸Gasket面密封（完全兼容VCR密封接头）公头输入与输出端。这种端面金属对金属的刚性压紧密封机制，在长期的温度交变、脉动压力循环（承受高达20 bar的正反向设计差压）以及高达165 bar的极限工艺入口压力下，依然能够保持优秀的密闭性。其经过多重极端环境验证的氦气泄漏率测试值低至1 x 10⁻⁹ atm cc/sec，完全杜绝了特种毒性、易燃易爆或昂贵高纯气体向大气环境泄露扩散的安全隐患，也使得它成为当今泛半导体工业、高精细特气制造及科研院所特气管网改扩建工程中深受信赖的安全流体保障硬件。
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